C ბენდი 5.2-5.8GHz 200W პულსური SSPA

Თვისება:

• Ზედმეტად მაღალი VSWR, რათა თავიდან იქნას აცილებული ან შემცირდეს ნებისმიერი შეუსაბამობისგან გამოწვეული დაზიანება
• Ზედმეტი ტემპერატურის დაცვა, გამორთვა 75°C ზე მეტი, ავტომატური ხელახალი დაწყება 50°C ქვემოთ

Გამოყენებები:

ფაზირებულ მასივში განთავსებულ რადიოლოკაციურ სისტემებზე, ელექტრონულ ბრძოლაზე, ელექტრონულ წინაღობაზე, SDR ,

Აღწერა

• Ნებისმიერი გაუმართაობა ან დაზიანება გამაძლიერებელი გამოწვეული არასწორი მუშაობა, რომელიც არღვევს შემდეგ ინსტრუქციებს არ იქნება დაფარული გარანტია.

• გთხოვთ გაითვალისწინოთ, რომ Pin (პიკი) სრულიად განსხვავდება Pin (საშუალო) - ისგან. 200 მკს, 20%, 6 დბმ პინი (პიკი) სინამდვილეში -1 დბმ პინი (საშუალო)

• PA უნდა იმუშაოს შესაბამისი რადიატორზე და რეკომენდებულია სილიციუმის ცხიმის ჩასმა შუაში. წინააღმდეგ შემთხვევაში, PA-ს გათიშავს მაღალი ტემპერატურა;

• PA s გამომავალი პორტი ვერ გაიხსნება ან მოკლე;

• PA s გამომავალი პორტი უნდა მიერთდეს სათანადო დატვირთვა (დატვირთვა: ან attenuator მიერთება სიმძლავრის მრიცხველი ან ანტენა. დატვირთვის VSWR უნდა იყოს ნაკლები 1.3);

• Pin დიაპაზონი და პოლარულობა ენერგიის მიწოდების უნდა იყოს სწორი;

• შემოწმება და უზრუნველყოფა შესასვლელი სიგნალი ინსტრუმენტები, რომლებიც აკმაყოფილებენ შემდეგ მოთხოვნებს:

Სიხშირე: 5.3-5.9GHz

Პულსების მოვალეობა: < 20%e

Პულსის სიგანე: <200μs

Პინი: 3-6 დბმ ((პიკი)

• Pout სავარაუდოდ ნაკლებია ნომინირებული სიმძლავრისას, თუ Pin-ი ნაკლებია 3dBm-ზე; PA სავარაუდოდ დაზიანებულია, თუ Pin-ი უფრო მაღალია, ვიდრე 15dBm;

• Უზრუნველყოს, რომ ელექტროენერგიის მიწოდების ძაბვა შეესაბამებოდეს 48VDC ± 1VDC;

• Უზრუნველყოს ყველა ზემოთ ჩამოთვლილი მოთხოვნის შესრულება. ჲრთევქ ჲეჟრთრთნა, თ გჟთფკჲ ღვ ნაოპაგნჲ ნაოპაგთქ.

I/O პორტი (DB15 ქალი )

Შენიშვნები ：

1：PA უნდა იყოს დამონტაჟებული ბრტყელი რადიატორზე (თერმული ცხიმი).

2：PA-ს შესასვლელი დონე უნდა იყოს 2.9-3.1GHz, პულსის მოვალეობა <20%, პულსის სიგანე <200us, 3-6dBm; წინააღმდეგ შემთხვევაში PA შეიძლება გატეხილი იყოს.

3：PA უნდა იყოს დაკავშირებული დატვირთვასთან, სანამ PA ჩართულია; წინააღმდეგ შემთხვევაში PA შეიძლება დაზიანდეს 。

4. ინსტრუქციები

Ნებისმიერი malfunction ან დაზიანება რომ ელ გამძლები გამოწვეული ნა არასწორი ოპერაცია რომ არღვევს ელ შემდეგი ინსტრუქციები არ იქნება დაფარული გარანტიით.

• Გთხოვთ გაითვალისწინოთ, რომ Pin (პიკი) სრულიად განსხვავდება Pin (საშუალო). 200 მკს, 20%, 6 დბმ პინი (პიკი) სინამდვილეში -1 დბმ პინი (საშუალო)

• Პვპ-ს რპვბა ოპვეჲპრთჲნვ ნა ჟსბჲდნარა რადიატჲრ, ა რპვბა ეა ჟრპამვ სლთკჲნთკ ჟლვეა გპვჟა. წინააღმდეგ შემთხვევაში, PA-ს გათიშავს მაღალი ტემპერატურა;

•PA-ის გამოსასვლელი პორტი ვერ გაიხსნება ან მოკლე იქნება;

• PA-ის გამოსასვლელი პორტი უნდა იყოს დაკავშირებული სათანადო დატვირთვისთან (დატვირთვა: ან გამაგრილებელი მიერთდება სიმძლავრის მრიცხველთან ან ანტენასთან. დატვირთვის VSWR უნდა იყოს ნაკლები 1.3);

•Ენერგიის მიწოდების პინების დიაპაზონი და პოლარულობა უნდა იყოს სწორი;

• Შეამოწმეთ და დარწმუნდით, რომ შესავალი სიგნალი შეესაბამება შემდეგ მოთხოვნებს:

Სიხშირე: 2.9-3.2GHz

Პულსური მოვალეობა: < 20% e

Პულსის სიგანე: <200μs

Პინი: 3-6 დბმ ((პიკი)

• Pout სავარაუდოდ ნაკლებია ნომინირებული სიმძლავრისას, თუ Pin-ი ნაკლებია 3dBm-ზე; PA სავარაუდოდ დაზიანებულია, თუ Pin-ი უფრო მაღალია, ვიდრე 15dBm;

•Უზრუნველყოს, რომ ელექტროენერგიის მიწოდების ძაბვა შეესაბამებოდეს 48VDC ± 1VDC;

• Უზრუნველყოს ყველა ზემოთ ჩამოთვლილი მოთხოვნის შესრულება. ჲრთევქ ჲეჟრთრთნა, თ გჟთფკჲ ღვ ნაოპაგნჲ ნაოპაგთქ.