Მთავარი მახასიათებელი
Სპეციფიკაციები
Ძირითადი ნივთი |
Სპეციფიკაცია (მომხმარებლის მოთხოვნის შესაბამად) |
|||
Ზემოთმავალი |
Ქვემოთმავალი |
|||
Სიხშირის დიაპაზონი |
380–385 მგჰც |
390–395 მგჰც |
||
415–420 მგჰც |
425–430 მგჰც |
|||
Ინდივიდუალურად შექმნილი | ||||
ALC |
Შესატანი სიგნალის 10 დბ-ით გაზრდის შემთხვევაში გამოსატანი სიგნალის გაზრდა არ აღემატება 2 დბ-ს |
|||
Სიხშირის შეცდომა |
≤±0,5 პპმ |
|||
Გაძლიერების რეგულირების დიაპაზონი |
0～30db |
|||
RF გამოსავალი სიმძლავრე |
37 დბმ |
40 დბმ/43 დბმ |
||
Მოგება |
RF |
90DB |
95დბ |
|
Ოპტიკური ბოჭკორი (მასტერ+სლეივ) |
100 დბ |
105 დბ |
||
Ხმაურის ფიგურა |
≤5 დბ |
|||
Ჯგუფური დაყოვნება |
≤1,5 მკს |
|||
Ინტერმოდულაციის შემცირება |
Შიდა ზოლში |
≤-55 დბც/30 კჰც |
||
Გარე სიხშირის დიაპაზონი (0ff 2.5 მგჰც) |
≤-36 დბმ/30 კჰც @ 9 კჰც–1 გჰც |
|||
≤-30 დბმ/30 კჰც @ 1 გჰც–12,75 გჰც | ||||
Გარე სიხშირის დიაპაზონის ჩართვა |
Широкополосный |
≤-40 დბ @ ერთეული 2,5 მგჰც |
||
≤-60 დბ @ ერთეული 10MHz | ||||
Სელექტური სიხშირის დიაპაზონი |
≤-30 დბც/30 კჰც @ ±400 კჰც |
|||
≤-60 დბც/30 კჰც@±600 კჰც | ||||
Ცრუ გამონაბოლქვი |
≤-36 დბმ/30 კჰც @ 9 კჰც–1 გჰც |
|||
≤-30 დბმ/30 კჰც @ 1 გჰც–12,75 გჰც | ||||
VSWR |
≤1.5 |
|||
Ძაბვის მომარაგების ბლოკი |
110 ვოლტი ცვლადი დენი/220 ვოლტი ცვლადი დენი/-48 ვოლტი მუდმივი დენი/+24 ვოლტი მუდმივი დენი |
|||
Ზომა |
RF |
610 × 440 × 250 მმ |
||
Ბოჭკო |
540 × 350 × 230 მმ (მასტერი ან სლეივი) |
|||
Წონა |
RF |
Დაახლოებით 35 კგ |
||
Ბოჭკო |
Დაახლოებით 25 კგ (მასტერი ან სლეივი) |
|||
Სამუშაო ტემპერატურა |
-40℃～+55 °ც ან -25 °ც ～+65℃ |
|||
Ურთიერთობრივი ტენიანობა |
≤95% |
|||
Ექსპლუატაციის კონფიგურაცია |
LCD დისპლეი, ხელით ჩართვა, პერსონალური კომპიუტერის RS232 პორტი |
|||
Სხვა |
Დამატებითი ტექნიკური მახასიათებლების შესახებ იხილეთ მომხმარებლის სახელმძღვანელო |
|||
EN
