تقویت‌کنندهٔ توان LTE با توان ۲۰ وات و فرکانس ۲٫۶ گیگاهرتز برای پوشش

اف‌دی‌دی ۲۰ W پایانهٔ تقویت‌کنندهٔ رادیویی خطی ۴۵ دسی‌بل‌سی برای SDR و میکرو-بی‌تی‌اس

PA بخش (پیوند فرود)

فرکانس: ۲۱۱۰ تا ۲۱۷۰ مگاهرتز

توان خروجی: ۴۲ دسی‌بل‌میلی‌وات ±0۰٫۵ دسی‌بل

بیشینه بهره: 50±2دی بی

تنظیم بهره: ثانیه ۳۱ دسی‌بل

نسبة توان در کانال‌های مجاور (ACPR): ≤‍۴۵ دسی‌بل‌سی @ ۵ مگاهرتز پهنای باند

نسبت موج ایستا ولتاژ: کمتر از ۱٫۵

سیگنال‌های ناخواسته: درون باند: کمتر از ۳۶- دسی‌بل‌میلی‌وات بر ۳۰ کیلوهرتز

بیرون باند: کمتر از ۳۰ دسی‌بل‌میلی‌وات بر ۳۰ کیلوهرتز

LNA بخش (ارتباط صعودی)

فرکانس: ۱۹۲۰ تا ۱۹۸۰ مگاهرتز

توان خروجی: ۰ دسی‌بل‌میلی‌وات ±1دی بی

شکل نویز ：<2.0

بیشینه بهره: ۲۰ ±1دب

نسبت موج ایستا ولتاژ: کمتر از ۱٫۵

سیگنال‌های ناخواسته: درون باند: کمتر از ۳۶- دسی‌بل‌میلی‌وات بر ۳۰ کیلوهرتز

بیرون باند: کمتر از ۳۰ دسی‌بل‌میلی‌وات بر ۳۰ کیلوهرتز

بخش مشترک

جریان کاری: کمتر از ۴٫۵ آمپر در ۲۸ ولت جریان مستقیم

کانکتور RF: خروجی پایانهٔ تقویت‌کنندهٔ رادیویی، ورودی تقویت‌کنندهٔ کم‌نویز: اس‌ام‌ای-کی‌اف‌دی

ورودی PA، خروجی LNA: MCX

ابعاد: ۱۷۰×۱۰۰×۲۰ میلی‌متر

دمای کاری :-25～+65℃

بخش نظارت

اتصال: PHD2.0، 2*5PIN

پین ۳: پین ۳: ولتاژ ۳٫۳ ولت در حالت PA EN یا شناور در هوا — روشن است؛

0V یا زمین: خاموش

پین ۲: RS485A؛ پین ۱: RS485B

پین‌های ۵ و ۷: زمین (GND)؛ پین‌های ۳، ۴ و ۸: Nc.

پروتکل RS485: استاندارد چین موبایل برای BDA تلفن همراه، ۹۶۰۰